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NTD4815NH
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1200
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
15
25
1000
C iss
12
Q T
20
800
9
V DS
V GS
15
600
400
C oss
6
Q 1
Q 2
10
200
0
0
C rss
5
10
15
20
25
30
3
0
0
2
4
6 8
I D = 30 A
T J = 25 ° C
10 12 14 16 18
5
0
20
DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate--To--Source and Drain--To--Source
Voltage vs. Total Charge
100
10
V DD = 15 V
I D = 30 A
V GS = 11.5 V
t d(off)
t r
35
30
25
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
15
t d(on)
t f
10
5
1
1
10
100
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE--TO--DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
1000
100
10 m s
40
35
30
25
I D = 15.4 A
10
1
0.1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
100 m s
1 ms
10 ms
dc
100
20
15
10
5
0
25
50 75
100 125
150
175
V DS , DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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